1n4148, 1n4150, 1N4151, 1n4448 1n4148 , 1n4150 , 1N4151 , 1n4448 ultrafast switching si-planar diodes ultraschnelle si-planar-dioden version 2011-09-23 dimensions - ma?e [mm] max. power dissipation max. verlustleistung 500 mw repetitive peak reverse voltage periodische spitzensperrspannung 50...100 v glass case glasgeh?use do-35 (sod-27) weight approx. gewicht ca. 0.13 g equivalent smd-version ?quvalente smd-ausfhrung ll4148, ll4150 ll4151, ll4148 standard packaging taped in ammo pack standard lieferform gegurtet in ammo-pack maximum ratings (t a = 25c) grenzwerte (t a = 25c) type typ repetitive peak reverse voltage periodische spitzensperrspannung v rrm [v] surge peak reverse voltage sto?spitzensperrspannung v rsm [v] 1 ) 1n4148 75 100 1n4150 50 50 1N4151 50 75 1n4448 75 100 type typ 1n4148 1n4448 1n4150 1N4151 max. average forward rectified current, r-load dauergrenzstrom in einwegschaltung mit r-last i fav 150 ma 2 ) 300 ma 2 ) 200 ma 2 ) repetitive peak forward current periodischer spitzenstrom i frm 500 ma 2 ) 600 ma 2 ) 500 ma 2 ) non-repetitive peak forward current sto?strom-grenzwert t p = 1 s t j = 25c i fsm 2000 ma 4000 ma 2000 ma max. power dissipation max. verlustleistung p tot 500 mw 2 ) junction temperature C sperrschichttemperatur storage temperature C lagerungstemperatur t j t s -50...+200c -50...+200c 1 tested with pulses i r = 100 a, t p = 300 s, duty cycle 2% gemessen mit impulsen i r = 100 a, t p = 300 s, schaltverh?ltnis 2% 2 valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case gltig, wenn die anschlussdr?hte in 5 mm abstand vom geh?use auf umgebungstemperatur gehalten werden ? diotec semiconductor ag http://www.diotec.com/ 1 ? 1.9 ? 0.52 6 2 . 5 3 . 9
1n4148, 1n4150, 1N4151, 1n4448 characteristics (tj = 25c) kennwerte (t = 25c) type typ forward voltage durchlass-spannung leakage current sperrstrom rev. recovery time 1 ) sperrverzugszeit 1 ) v f [v] at/bei i f [ma] i r [na] at/bei v r [v] t rr [ns] 1n4148 < 1 10 < 25 < 5.000 < 50.000 20 75 20 (t j = 150c) < 4 1n4150 0.54...0.62 0.66...0.74 0.76...0.86 0.82...0.92 8.87...1.00 1 10 50 100 200 < 100 < 100.000 50 50 (t j = 150c) < 4 1N4151 < 1 50 < 50 < 50.000 50 50 (t j = 150c) < 2 1n4448 0.62...0.72 < 1 5 100 < 20 < 5.000 < 50.000 25 75 20 (t j = 150c) < 4 thermal resistance junction to ambient air w?rme widerstand sperrschicht C umgebende luft r tha < 300 k/w 2 ) 1 i f = 10 ma through/ber i r = 10 ma to/auf i r = 1 ma, v r = 6v, r l = 100 2 valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case gltig, wenn die anschlussdr?hte in 5 mm abstand vom geh?use auf umgebungstemperatur gehalten werden 2 http://www.diotec.com/ ? diotec semiconductor ag 120 100 80 60 40 20 0 [%] i fav rated forward current versus ambient temperature ) zul. richtstrom in abh. von der umgebungstemp. ) 2 2 [c] t a 150 100 50 0 forward characteristics (typical values) durchlasskennlinien (typische werte) t = 25c j t = 125c j v f [v] 1.4 1.0 0.8 0.6 0.4 0 [a] i f 10 -3 10 -2 10 -1 1 10
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